開機前準(zhǔn)備
檢查設(shè)備連接:確認水源、氣源、電源連接正常,各類管道無泄漏,各氣體閥門處于關(guān)閉狀態(tài)。
檢查真空系統(tǒng):查看真空泵油位、管路連接及接口密封是否良好。
開機操作
打開設(shè)備總電源開關(guān),啟動控制系統(tǒng),待設(shè)備自檢完成,各指示燈顯示正常。
打開工作氣體閥門,調(diào)節(jié)氣體流量至設(shè)定值,并通過氣體質(zhì)量流量控制器確認流量穩(wěn)定。
啟動加熱系統(tǒng),按照工藝要求設(shè)定加熱溫度,等待加熱元件和反應(yīng)腔室升溫。
打開真空泵,在設(shè)備升溫過程中開啟初級泵對真空腔室進行預(yù)抽氣,使腔室壓力降至設(shè)定范圍。
當(dāng)腔室溫度達到設(shè)定值且壓力穩(wěn)定后,進行工藝配方參數(shù)設(shè)定,包括沉積氣體種類、流量、通斷時間、反應(yīng)溫度等。
啟動沉積程序,觀察設(shè)備運行狀態(tài),如壓力、溫度、流量等參數(shù)是否實時變化正常。
關(guān)機操作
當(dāng)工藝沉積過程完成后,停止通入反應(yīng)氣體,繼續(xù)通入吹掃氣體一段時間,以清除反應(yīng)殘留。
等待腔室溫度降至安全范圍(一般為50-100℃),可根據(jù)工藝要求在控制系統(tǒng)中設(shè)定降溫時間。
關(guān)閉加熱系統(tǒng)、工作氣體閥門,停止各氣體供應(yīng)。
關(guān)閉真空泵,關(guān)閉設(shè)備控制系統(tǒng),關(guān)閉總電源開關(guān)。
對設(shè)備進行清潔和維護,記錄本次操作相關(guān)參數(shù)和情況,以便后續(xù)參考。
通過以上詳細步驟,能夠正確操作ALD原子層沉積設(shè)備,確保設(shè)備正常運行,并獲得高質(zhì)量的薄膜沉積效果。