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      進(jìn)口鐵電分析儀在清華安裝

      更新時(shí)間:2024-10-15點(diǎn)擊次數(shù):497


      今天小編給大家介紹一款功能強(qiáng)大、性能穩(wěn)定的設(shè)備——鐵電分析儀。它適用于科研機(jī)構(gòu)、大學(xué)實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)領(lǐng)域的鐵電材料研究。


      接下來,小編就帶大家走進(jìn)清華大學(xué)實(shí)驗(yàn)室,來探尋鐵電世界的奧秘!


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      清華大學(xué)實(shí)驗(yàn)室



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      進(jìn)口鐵電分析儀在清華


      這是一款擴(kuò)展性很好的模塊化鐵電壓電分析儀,具備鐵電、壓電、熱釋電材料所有基本特性測(cè)試功能,可與激光干涉儀和SPM掃描探針顯微鏡等微位移傳感器聯(lián)用,可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。


      TF2000具有高靈敏度、穩(wěn)定性和耐用性,能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定工作,保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。清華大學(xué)選擇TF2000,體現(xiàn)了對(duì)該儀器高品質(zhì)和性能的認(rèn)可,也為清華大學(xué)的科研和教學(xué)工作提供了強(qiáng)有力的支持。


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      設(shè)備特點(diǎn):





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      具有優(yōu)異的擴(kuò)展性


      • FE模塊-鐵電標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試

      • MR模塊-磁阻和鐵性材料測(cè)試

      • RX模塊-弛豫電流測(cè)試

      • DR模塊-自放電測(cè)試


      功能測(cè)試:




      1

      ?

      FE模塊標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試功能


      • Dynamic Hysteresis 動(dòng)態(tài)電滯回線測(cè)試頻率(標(biāo)準(zhǔn)FE模塊0.001Hz~5kHz)

      • Static Hysterestic 靜態(tài)電滯回線測(cè)試

      • PUND 脈沖測(cè)試

      • Fatigue 疲勞測(cè)試

      • Retention 保持力

      • Imprint 印跡

      • Leakage current漏電流測(cè)試

      • Thermo Measurement 變溫測(cè)試功能


      2

      ?

      FE模塊可選測(cè)試功能


      • C-V curve電容-電壓曲線

      • Piezo Measurement壓電性能測(cè)試

      • Pyroelectric Measurement熱釋電性能測(cè)試

      • In-situ Compensation 原位補(bǔ)償

      • DLCC 動(dòng)態(tài)漏電流補(bǔ)償功能


      技術(shù)特點(diǎn):




      • 電壓范圍:+/- 25 V(可選的附加高壓放大器可擴(kuò)展至+/- 10KV)

      • 電滯頻率:5 kHz(標(biāo)準(zhǔn)FE模塊)

      • 最小脈沖寬度:2 μs

      • 最小上升時(shí)間:1 μs

      • 電流放大范圍:1pA~1A

      • 最大負(fù)荷電容:1μF

      • 輸出電流峰值:+/-1 A



      ?

      可擴(kuò)展部件


      高壓放大器、激光干涉儀、AFM、溫度控制器、薄膜探針冷熱臺(tái)、變溫塊體樣品盒、塊體變溫爐、薄膜e31測(cè)試平臺(tái)、超導(dǎo)磁體、PPMS等。


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      MR模塊是用來研究磁阻和鐵性材料的

      此模塊提供連續(xù)電流激勵(lì)和測(cè)試,樣品上的電壓降通過高精度四點(diǎn)測(cè)試。


      2

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      RX模塊是用來研究介電體和鐵電材料的極化和去極化電流的,即施加電壓階躍后的電流響應(yīng)

      該測(cè)試能將材料的馳豫電流和漏電流分開,并可記錄極化響應(yīng)電流和去極化響應(yīng)電流。


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      DR模塊用于研究電介質(zhì)材料的自漏電性

      由于測(cè)試條件非常接近實(shí)際情況,因此通過這種方式可容易地測(cè)試應(yīng)用于DRAM材料的合適性。


      針對(duì)工業(yè)方面的應(yīng)用,TF Analyzer 2000E提供了256個(gè)自動(dòng)測(cè)試的通道,大大擴(kuò)展了該儀器的測(cè)試功能。


      以上所有的模塊可根據(jù)您的測(cè)試需求以及科研方向進(jìn)行獨(dú)立選擇或者任意組合。






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